中科院科研人員在新型半導體雷射器研發上取得進展

新華社長春9月3日電(記者孟含琪、李典)記者從中國科學院長春應用化學研究所瞭解到，研究員秦川江聯合日本科研人員，在製作新型半導體雷射器的研發上取得進展，為下一步半導體雷射器更穩定工作提供重要支撐。該成果於9月2日在《自然》期刊上發表。

半導體雷射器應用于生活的方方面面，用鈣鈦礦材料製作半導體雷射器是最新的方法之一，但此前該類雷射器需在苛刻的低溫環境下才能持續工作。如何讓鈣鈦礦半導體雷射器在室溫下輸出更穩定，成為該研發領域的重要課題。

針對這一重要課題，秦川江團隊與日本九州大學安達千波矢團隊開展國際合作，歷時5年取得重要進展。團隊採用特殊設計的鈣鈦礦材料，製作出高效半導體雷射器。秦川江介紹，鈣鈦礦半導體雷射器只能在低溫條件下(零下153攝氏度附近)穩定工作，在室溫下工作數分鐘後，鐳射便會消失，主要源於鈣鈦礦中存在一種名為"三重態激子"的物質。團隊利用特殊材料設計將該物質轉移出來，進而實現了鈣鈦礦半導體雷射器在室溫下持續穩定的輸出。

該研究成果未來有望在光通信、光資訊處理、光儲存、照明和顯示等領域得到廣泛應用。