國家記憶體基地專案武漢開工 晶片產業化實現零突破

總投資240億美元的國家記憶體基地專案近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成後，年產值將超過100億美元，實現我國積體電路存儲晶片產業規模化發展“零”的突破。

此次開工的國家記憶體基地專案位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔淨面積最大的3Ｄ ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ ＦＡＢ廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計畫2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。

據介紹，國家記憶體基地專案由紫光集團聯合國家積體電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以晶片製造環節為突破口，集記憶體產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體，建成後，還將帶動設計、封裝、製造、應用等晶片產業相關環節的發展。

記憶體是資訊系統的基礎核心晶片，最能代表積體電路產業規模經濟效益和先進製造工藝，同時也是我國進口金額最大的積體電路產品。