一個晶片可能包含數十億個電晶體,晶片性能的提升基於電晶體的不斷小型化。近年來矽電晶體的小型化速度已放緩,因為到達一定微小尺度後,電晶體功能會受到量子力學某些效應的干擾,從而影響正常運行。
這項研究發表在美國《先進功能材料》雜誌上。在該研究中,以色列理工學院的研究人員在獨特的實驗室系統中合成一種氧化物材料,這一新材料原子間的距離能以皮米即千分之一納米的精度準確控制,而矽材料兩個原子間的距離約為四分之一納米。
通過這些發生在千分之一納米範圍內的微小變化,研究人員正在開發新的方法來控制材料在導電和絕緣狀態之間變化,使其具有半導體的特性。研究人員還用瑞士日內瓦的粒子加速器觀察這些微小變化如何影響新材料中電子的排列,以進一步推進未來電晶體的研發。
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