“解決中國芯，支撐中國未來30年的發展。”在25日於江蘇鎮江舉行的“積體電路產業創新（鎮江）高端對話會”上，中科院微電子所所長、02專項專家組組長葉甜春表示，在國家重大專項等的持續推動下，中國初步完成了積體電路產業鏈的構建，一批企業開始脫穎而出。接下來，國家的持續投入對積體電路產業發展至關重要，技術上則要走向重視原始創新和集成創新的新路徑。中芯國際技術研究發展顧問吳漢明等則詳細闡述了產業面臨的機遇和挑戰，揭示中國在成熟制程領域的後發優勢和先進制程領域彎道超車的機會。
產業需要持續投入
在葉甜春看來，必須解決“中國芯”問題，才能支撐中國未來30年的發展。積體電路技術是國家實力的戰略制高點，這個融合了40多種科學技術及工程領域多種交叉學科和尖端製造技術的領域，對製造裝備、精密機械、精密儀器、自動化、精細化工和新材料業有直接的帶動。
值得關注的是，據葉甜春介紹，武漢新芯與中科院微電子所聯合完成了39層3D-NAND工藝流程搭建和原型結構開發，各項結構參數達到要求，開始產品試製。近期紫光集團收購武漢新芯多數股權後，成立長江存儲科技有限責任公司，由趙偉國出任董事長。紫光旗下紫光國芯為其記憶體整合平臺，作為國內記憶體設計第一梯隊公司，紫光國芯除定增募資800億元籌建存儲廠外，近期還斥資1億元成立全資子公司紫光國芯微電子，進一步拓展IC設計業務領域。對此，美光半導體公司相關人士表示，武漢新芯在3D-NAND領域取得的進展令人震驚和欣喜，這顯示其跟國內其他廠相比，已經成為具有國際化人才和技術的公司。資料顯示，目前，在3D-NAND領域，三星量產了48層產品，64層和90層正在研發中。
在國家的大力支持和國家重大專項等引領下，中國積體電路產業整個產業鏈佈局已基本完善，一批企業脫穎而出。葉甜春介紹說，封裝技術從低端走向高端，技術達到國際先進水準；關鍵裝備和材料實現從無到有，部分產品進入14nm研發，製造工藝更是取得長足發展，28nm進入量產，14nm研發獲得突破；系統級晶片設計能力與國際先進水準的差距大幅縮小。其中，中微半導體、北方微電子（已被七星電子並購）、七星華創、睿勵科學儀器、上海盛美、瀋陽拓荊等一批公司嶄露頭角。
葉甜春進一步強調，國家和企業的持續投入對積體電路產業發展至關重要。歷史上，由於沒有連續性投入導致我國積體電路產業發展間歇性停滯，其結果是與國際先進的差距愈來愈大。為此，國家應在重大專項和重點科技計畫上進一步加大力度，投資特別是技術研發資金的投入必須有持續性，才能跟得上國際步伐。
技術進入原始創新
葉甜春認為，中國積體電路產業已經進入一個由追趕到原創的新階段，新形勢下，中國積體電路產業應更注重創新，特別是原始創新和集成創新。
以往，中國的積體電路走的是“引進消化吸收再創新”的路子，產業和企業的發展都處於“追趕模式”。但隨著制程的演進和中國積體電路產業的發展，一方面自身加快研發，一方面實施並購整合，中國積體電路產業和技術都達到了一個新的高度。緊跟領先者的情況下，不再有那麼多的他人經驗可借鑒，與國外一樣，中國積體電路產業開始進入“摸著石頭過河”的探索階段。
葉甜春表示，中國積體電路要保持後勁，就必須對創新更加重視，加強基礎研究、培育原始創新和集成創新刻不容緩。創新的重點：一是面向產業結構調整、戰略性新興產業和社會服務智慧化，開展全域性、系統性、集成性創新，推動產業鏈創新；二是從跟隨戰略轉向創新跨越，在全球產業創新鏈中形成自己的特色，這就要立足中國市場實現世界創新，在若干核心技術領域形成具有特色的創新技術和創新產品，通過產業鏈協同，從技術創新轉入商業模式創新。
後發優勢與機遇
值得關注的是，在本次高端對話會上，基於後摩爾時代來臨，吳漢明等詳細闡述了產業面臨的機遇和挑戰，揭示了中國在成熟制程領域的後發優勢和先進制程領域彎道超車的機會。
在摩爾制程內，面對國際半導體巨頭半個世紀的積累和持續高額的科研投入，中國的產業基礎和科研投入都決定了很難與其爭鋒，只能縮小與世界先進的差距。不過，在摩爾制程突破越來越難、半導體應用技術出現巨大轉機的情況下，中國有望在“後摩爾時代”出奇制勝，在成熟制程領域凸顯後發優勢，在先進制程領域彎道超車。
在後摩爾時代，中國積體電路產業具有彎道超車的機會。吳漢明認為，在後摩爾時代，碎片化的市場將帶來混亂和大量的摧毀性創意，大量基礎創新湧現，基礎研究的機遇空前；市場則呈現出多樣化的發展，如物聯網（IoT）、射頻（RF）、MEMS和感測器等，積體電路設計公司大有可為；產業鏈整體創新機遇凸顯，尤其是在設計環節，包括設計IP的公共平臺建設。
在泛林半導體中國區總經理劉二壯看來，物聯網將給積體電路產業帶來新的發展動力，極大延長成熟制程技術和工廠的壽命。物聯網對低成本、低功耗、高效率的要求，給積體電路材料、封裝和製造提出新的要求和發展動力，帶動了寬禁帶半導體材料、SIP封裝等技術發展，使得中國積體電路產業有機會與國際巨頭在同一起跑線上競爭。此外，鑒於物聯網中半導體器件將有80%是採用28nm以下成熟工藝，這將大大延長那些8英寸廠甚至6英寸廠的生命，給了中國積體電路成熟制程領域更多的發展機遇，使得中國在成熟制程領域凸顯出後發優勢
產業需要持續投入
在葉甜春看來，必須解決“中國芯”問題，才能支撐中國未來30年的發展。積體電路技術是國家實力的戰略制高點，這個融合了40多種科學技術及工程領域多種交叉學科和尖端製造技術的領域，對製造裝備、精密機械、精密儀器、自動化、精細化工和新材料業有直接的帶動。
值得關注的是，據葉甜春介紹，武漢新芯與中科院微電子所聯合完成了39層3D-NAND工藝流程搭建和原型結構開發，各項結構參數達到要求，開始產品試製。近期紫光集團收購武漢新芯多數股權後，成立長江存儲科技有限責任公司，由趙偉國出任董事長。紫光旗下紫光國芯為其記憶體整合平臺，作為國內記憶體設計第一梯隊公司，紫光國芯除定增募資800億元籌建存儲廠外，近期還斥資1億元成立全資子公司紫光國芯微電子，進一步拓展IC設計業務領域。對此，美光半導體公司相關人士表示，武漢新芯在3D-NAND領域取得的進展令人震驚和欣喜，這顯示其跟國內其他廠相比，已經成為具有國際化人才和技術的公司。資料顯示，目前，在3D-NAND領域，三星量產了48層產品，64層和90層正在研發中。
在國家的大力支持和國家重大專項等引領下，中國積體電路產業整個產業鏈佈局已基本完善，一批企業脫穎而出。葉甜春介紹說，封裝技術從低端走向高端，技術達到國際先進水準；關鍵裝備和材料實現從無到有，部分產品進入14nm研發，製造工藝更是取得長足發展，28nm進入量產，14nm研發獲得突破；系統級晶片設計能力與國際先進水準的差距大幅縮小。其中，中微半導體、北方微電子（已被七星電子並購）、七星華創、睿勵科學儀器、上海盛美、瀋陽拓荊等一批公司嶄露頭角。
葉甜春進一步強調，國家和企業的持續投入對積體電路產業發展至關重要。歷史上，由於沒有連續性投入導致我國積體電路產業發展間歇性停滯，其結果是與國際先進的差距愈來愈大。為此，國家應在重大專項和重點科技計畫上進一步加大力度，投資特別是技術研發資金的投入必須有持續性，才能跟得上國際步伐。
技術進入原始創新
葉甜春認為，中國積體電路產業已經進入一個由追趕到原創的新階段，新形勢下，中國積體電路產業應更注重創新，特別是原始創新和集成創新。
以往，中國的積體電路走的是“引進消化吸收再創新”的路子，產業和企業的發展都處於“追趕模式”。但隨著制程的演進和中國積體電路產業的發展，一方面自身加快研發，一方面實施並購整合，中國積體電路產業和技術都達到了一個新的高度。緊跟領先者的情況下，不再有那麼多的他人經驗可借鑒，與國外一樣，中國積體電路產業開始進入“摸著石頭過河”的探索階段。
葉甜春表示，中國積體電路要保持後勁，就必須對創新更加重視，加強基礎研究、培育原始創新和集成創新刻不容緩。創新的重點：一是面向產業結構調整、戰略性新興產業和社會服務智慧化，開展全域性、系統性、集成性創新，推動產業鏈創新；二是從跟隨戰略轉向創新跨越，在全球產業創新鏈中形成自己的特色，這就要立足中國市場實現世界創新，在若干核心技術領域形成具有特色的創新技術和創新產品，通過產業鏈協同，從技術創新轉入商業模式創新。
後發優勢與機遇
值得關注的是，在本次高端對話會上，基於後摩爾時代來臨，吳漢明等詳細闡述了產業面臨的機遇和挑戰，揭示了中國在成熟制程領域的後發優勢和先進制程領域彎道超車的機會。
在摩爾制程內，面對國際半導體巨頭半個世紀的積累和持續高額的科研投入，中國的產業基礎和科研投入都決定了很難與其爭鋒，只能縮小與世界先進的差距。不過，在摩爾制程突破越來越難、半導體應用技術出現巨大轉機的情況下，中國有望在“後摩爾時代”出奇制勝，在成熟制程領域凸顯後發優勢，在先進制程領域彎道超車。
在後摩爾時代，中國積體電路產業具有彎道超車的機會。吳漢明認為，在後摩爾時代，碎片化的市場將帶來混亂和大量的摧毀性創意，大量基礎創新湧現，基礎研究的機遇空前；市場則呈現出多樣化的發展，如物聯網（IoT）、射頻（RF）、MEMS和感測器等，積體電路設計公司大有可為；產業鏈整體創新機遇凸顯，尤其是在設計環節，包括設計IP的公共平臺建設。
在泛林半導體中國區總經理劉二壯看來，物聯網將給積體電路產業帶來新的發展動力，極大延長成熟制程技術和工廠的壽命。物聯網對低成本、低功耗、高效率的要求，給積體電路材料、封裝和製造提出新的要求和發展動力，帶動了寬禁帶半導體材料、SIP封裝等技術發展，使得中國積體電路產業有機會與國際巨頭在同一起跑線上競爭。此外，鑒於物聯網中半導體器件將有80%是採用28nm以下成熟工藝，這將大大延長那些8英寸廠甚至6英寸廠的生命，給了中國積體電路成熟制程領域更多的發展機遇，使得中國在成熟制程領域凸顯出後發優勢
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