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半導體市場升溫 國內設備未來替代空間廣闊

中国证券网
2016-08-12 09:06

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繼三星發佈了UFS 2.0高速儲存卡之後,美光日前發佈了全球首個手機3D快閃記憶體。快閃記憶體科技快速發展折射出當前對於高科技晶片的廣闊需求。今年以來,由於下游需求旺盛,半導體設備訂單密集增加。當前半導體設備和材料的國產化程度不斷提升,龍頭企業受益半導體產業發展大機遇,值得投資者關注。

美光發佈手機3D快閃記憶體

日前,在加州聖克拉拉舉行的快閃記憶體峰會(Flash Memory Summit)上,美光公佈了首款3D NAND快閃記憶體晶片。這種快閃記憶體晶片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據報導,這款3D快閃記憶體晶片與傳統的2D NAND水準排布儲存單元不同,3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元,這種排布方式不但可以增加快閃記憶體的容量,又能讓晶片與處理器通訊變快。單個容量為32GB,採用全新UFS 2.1標準,讀取速度達到1.5GB/s,寫入接近500MB/s,是目前UFS2.0的2倍。未來中高端手機上將會採用這種3D快閃記憶體晶片,對手機市場來說又是一波新的換機潮,畢竟誰都想要速度更快,儲存容量更大的手機。

其實快閃記憶體科技快速發展折射出當前對於高科技晶片的廣闊需求,這也是今年半導體市場的縮影。今年以來,由於下游需求旺盛,半導體設備訂單密集增加,預計全年將取得出色成績。另外,半導體設備主要集中在製造和封測端,晶圓製造設備依舊是半導體設備中占絕對地位的設備,在2015年晶圓製造設備銷售額達到約286.7億美元,占比達到78.74%。中國半導體製造設備增長迅速,目前已經達到全球增速最快的市場,且下游需求良好,前景可期。

國內半導體設備替代空間廣闊

2015年,前五大供應商占市場份額的76.8%,前十大供應商佔據了93.6%的市場份額,市場集中度高。值得注意的是,十大廠商中多數為美國和日本企業,國內廠商在這塊差距仍然較大。從半導體主要製造設備看來,光刻機、刻蝕機、化學氣相沉積(CVD)市場都為國外廠商佔據。同時,也說明中國半導體設備市場存在巨大替代空間,且由於需求驅動,主要設備後續需求有望持續,維持良好增長勢頭。

招商證券指出,當前大陸半導體設備和材料的需求大幅增長,大陸半導體進入生產線密集建設期,目前在建或計畫建設的半導體晶圓投資專案總額已達800億美元,將需求約600億美元的設備,而材料的需求也隨之增加。預計2020年,大陸半導體設備和材料年需求規模將超過200億美元。

在需求上行的推動下,預計晶圓設備市場有望開始恢復成長趨勢,設備產能利用率也有望逐步回升,前期的高庫存也將有望顯著降低。此外,在國家半導體扶持政策推動下,國內有望實現爆發式增長。近幾年國內的半導體設備和材料產業已取得長足進步,逐步實現從低端向高端替代。刻蝕機、PVD、先進封裝光刻機等設備,靶材、電鍍液等材料,不僅滿足國內市場的需求,還獲得國際一流客戶的認可,遠銷海外市場。半導體設備和材料的國產化程度不斷提升,龍頭企業受益半導體產業發展大機遇。
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